云南昆明_曲靖_玉溪_保山_昭通_丽江_思茅_临沧_楚雄_红河_文山_大理_怒江_迪庆_德宏风光互补路灯报价清单_分项报价

由于太阳能路灯组件电池能长期在大范围阳光光强和温度下工作.还具有高可靠性、率、艮寿命和良好的抗辐射性能等优点.使得它作为一种较为的空间电源了广泛的应用。至今人类发外太空的各类飞行器绝大部分使用太阳能路灯组件电池作为主要电源。飞船脱离运载火箭进人太空后.展开的光伏组件就像飞船的一对翅膀一样，将太阳转化成电能.为飞船上的电器设备提供能源。

现阶段太阳路灯好采用率的晶体硅太阳能路灯组件电池，同时也好选择低功耗、高亮度的照明灯管。太阳路灯是集光、电、机械、控制等技术为一体的品，常常与周围融为一体。设计时还要进行细致、科学的设计，合理地确定太阳能路灯组件电池组件、太阳能路灯蓄电池容量以及负载功率的大小.以***可靠地工作.又能达到好的经济效益。

太阳路灯应用实例：安装：广州（113E23N);太阳能路灯组件电池组件：西门子-55(峰值功率55W);太阳能路灯蓄电池：12V50A到h的密封免铅酸太阳能路灯蓄电池；负载：11W节能灯；工作时间：每天工作8到12h,可以***连续工作3个阴雨天。

太阳发电与LED照明的结合人类出光源-固体光源LED。太阳发电与LED照明的结合是一大亮点。

影响太阳能路灯组件电池光电转换效率的闪素，综上所述，太阳能路灯组件电池的效率，必须幵路电mV.、短路电流和填充因子FF这3个基本参量。而这3个基本参量之间往往是相包.牵制的.如果中方面其中一个.可能会因此而另一个，以致总效率不仅没或反而有所下降.，WIfil仵选择材料、设计T.艺时必须全盘考虑，力求使3个参M的乘积大。

无论对于空间应用或地面应用的硅太阳能路灯组件电池，一些影响效韦的因素是共同的。这就是①基片材料；②暗电流；③高掺杂效应；④串、并联电阻的影响等，本界将洋细论暗电流和高惨杂效应对电池的影响。在此基础上，简要介绍几种硅太阳能路灯组件电池效率的途径。暗电流，当PN结处于正偏状态时.略去串联电阻的影响.在负载上的电流密度JD被称为光电池的暗电流，即推导过的PN结正向电流。在开路电压的表达式中乂可看到它明显地消耗光电流，幵路电压，所以减小暗电流是太阳能路灯组件电池效率的重要方面。

对于均匀掺杂的PN结硅太阳能路灯组件电池，***项称为注人电流，也就是P区和N区的扩散电流。显然P区、N区掺杂浓度NA、iVD越大.少子寿命越长、扩散长度愈长.暗电流中的注入电流分量就越小。后一项称为复合电流，它与耗尽区宽度W成正比.与耗尽区中的载流子平均寿命r成反比。要暗电流中的复合电流分量，需要耗尽区宽度，耗尽区中的复合中心，并把载流子的寿命维持在高水平上。在考虑到PN结存在高掺杂时，暗电流还包含第三个量--隧穿电流式中：是包含电子的有效内建电场、掺杂浓度、介电常数、普朗克常数等的一个系数；％是能够为电子或空穴提供的能态密度。

大阳能电池是由单晶硅太阳能路灯组件电池和多晶硅太阳能路灯组件电池构成的晶体硅大阳能电池到其产量占到当前太阳能路灯组件电池总产量的80%以上。晶体硅太阳能路灯组件电池因其制造工艺成熟.性能可靠.光电转换效***，使用寿命长，已经工业化大规模生产；因此.衣章重点介绍地面应用的晶体硅太阳能路灯组件电池的一般生产制造工艺。

晶体硅太阳能路灯组件电池生产制造工艺包括的内容有宽狭之分。宽的内容范围.包括硅材料的制备、太阳能路灯组件电池片的制造和大阳能电池组件的封装3个部分。狭的内容范围仅仅指太阳能路灯组件电池片的制造t衣章介绍宽的内容范围，即不仅包括大阳能电池片的制造，还包括太阳能路灯组件电池组件的封装。

目前晶体硅大阳能电池主流的制造工艺是以丝网印刷电极为特征的现代***丝网印刷工艺，其能量转换效率在条件下已达到18%左右。基于电极金属化制备，存在几种率的实验室大阳能电池，有些实验室太阳能路灯组件电池（如HIT大阳能电池）已规模化生产阶段。全的大阳能研究所、实验室及太阳能路灯组件电池商对工艺的创新投入大.太阳能路灯组件电池的制造工艺发展迅速，当今主流的生产工艺可能在若干年后被更***的新工艺所代替.这是学习衣章应该注意的。

高纯多晶硅的制备，硅是地壳中分布广的元素，其含量高达25.8%。但自然界的硅，主要以石英砂形式存在，其主要成分为硅的氧化物。生产制造晶体硅太阳能路灯组件电池用的硅材料高纯多晶硅.是用石英砂冶炼出来的.首先把石英砂电炉中，用碳还原的工业硅.也称冶金硅。其反应式为SiO,+2C=Si+2CO的T.业硅.是纯度为98%到***的多晶硅。工业硅所包含的杂质.因原材料和制法而异。一般来说，铁、铝约占0.1%到0.5%,钙占0.1%到0.2%。

单晶娃棒的制备，单晶硅棒的制备很多.可以从熔体上生长，也可以从气相中沉积。目前，国内外在生产中采用的主要有熔体直拉法和悬浮区熔法两种。熔体直拉法，直拉法（CZ)即丘克拉斯基法。它是将经处理的高纯多晶硅或者半导体工业所生产的次品硅（单晶或者多晶头尾料）装人单晶炉的石英坩埚内，在合理的温度中，于真空或者保护下加热使硅熔化，用一个经加工处理过的晶种--籽晶，使其与熔硅充分熔接，并以一定的速度.在晶核诱导下.控制特定的工艺条件和掺杂技术使其具有预期电性能的单晶沿籽晶定向凝固、成核长大，从熔体上缓缓提拉出来。目前我国用此法可以制备出直径达0.2m(8m)、重达百余千克的大型单晶硅棒。(a)CZ法单晶硅炉（b)单晶硅棒，悬浮区熔法，悬浮区熔法（FZ)也称无坩埚区熔法。它是将预先处理好的多晶硅棒和籽晶一起固定在区熔炉的上下轴之间，以高频感应等加热。由于硅密度小、表面张力大，在电磁场浮力、熔硅表面张力和重力的平衡作用下，使所产生的熔区能地悬浮在硅棒中间。在真空或下，控制特定的工艺条件和掺杂，使熔区在硅棒上从头到尾定向，如此反复多次，后沿籽晶长成具有顶期电性能的单晶硅棒。目前在生产中广泛使用的是内热式高频感应加热，在真空或者下区熔合生长单晶.即丁.作线圈T.作室内用高频感应加热。此法的特点是能够单晶硅纯度、含氧量及晶体缺陷.但是成本很高.因此0前仅用于生产太阳能路灯组件电池的单晶硅材料。

多晶硅锭的制备，多晶硅太阳能路灯组件电池是以多晶硅为基体材料的太阳能路灯组件电池。它的出现主要是为了晶体硅太阳能路灯组件电池的成本。其主要优点有：能直接拉制出方形硅锭.设备比较简单.并能制出大型硅锭以形成工业化生产规模：材质电能消耗较省.并能用较低纯度的硅作投炉料；可在电池工艺方面采取措施晶界及其他杂质的影响。其主要缺点是生产出的多晶硅太阳能路灯组件电池转换效率要比单晶硅太阳能路灯组件电池稍低。定向凝固法，定向凝固法是将硅材料放到坩埚中熔融.然后将坩埚从热场逐渐下降或从坩埚底部通冷源，以造成一定的温度梯度，固液面则从坩埚底部向上而形成硅锭的。

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